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深圳市汇创佳电子新到原装SI4816BDY-T1-E3
2023-09-21
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 2 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 6.8 A, 11.4 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 11.5 mOhms, 18.5 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V | |
| Qg-栅极电荷: | 7.8 nC, 11.6 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.4 W, 2.4 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | TrenchFET |
