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深圳市汇创佳分销原装MJD32CG
2026-03-03
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 直流电流增益(hFE) | 25 |
| 特征频率(fT) | 3MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
2026-03-03
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 直流电流增益(hFE) | 25 |
| 特征频率(fT) | 3MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
