公司动态详情返回动态列表>
深圳市汇创佳电子销售原装IPB200N25N3G
2022-02-28
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 250 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 64A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 64A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7100 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
